EMG SV1-10/8/120/6 伺服阀 货多 全新

厦门元航机械设备有限公司  沈

173-06-0188 00

霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低。霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用，需要用机械的方法来改变磁场强度。下图所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关，当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时，磁场偏离集成片，霍尔电压消失。这样，霍尔集成电路的输出电压的变化

EMG电动缸LLS 675/02

EMG伺服阀SV1-10/32/315-6

EMG伺服阀SV1-10/8/315/6 SV1-10/16/120/6

EMG伺服阀SV1-10/48/315-6

EMG伺服阀SV1-10/16/315-6

EMG传感器KLW 300.012

EMG传感器KLW 150.012

EMG传感器KLW 225.012

EMG传感器KLW 360.012

EMG传感器KLW150.012

EMG传感器KLW225.012

EMG传感器KLW300.012

EMG传感器KLW450.012

EMG传感器KLW600.012

SV1-10/8/315/6 伺服阀 EMG

SV1-10/48/315/6 伺服阀 EMG

SV1-10/32/100/6 伺服阀 EMG

SV1-10/8/120/6 伺服阀 EMG

SV1-10/4/120/6 伺服阀 EMG

SV2-16/125/315/1/1/01伺服阀EMG 

HFE400/10H滤芯EMG 

KLM300/012位移传感器EMG 

LLS675/02 LICHTBAND对中整流器EMG 

LIC1075/11光发射器EMG 

EVK2.12 电路处理板EMG 

BK11.02 电源EMG 

MCU16.1 处理器EMG 

VKI3-11-200/1600/750/M/E/W/A/EMG 

LID2-800.2C 对中光源发射器EMG 

LID2-800.2C 对中光源发射器EMG 

DMC2000-B3-160-SMC002-DCS电动执行器EMG 

KLW300.012位移传感器EMG 

LIC2.01.1电路板EMG

 利用激光技术进行测量的传感器。它由激光器、激光检测器和测量电路组成。激光传感器是新型测量仪表，它的优点是能实现无接触远距离测量，速度快，精度高，量程大，抗光、电*力强等。

EMG推动杆EB1250-60IIW5T

EMG推动杆EB800-60II

EMG推动杆EB220-50/2IIW5T

EMG推动杆EB300-50IIW5T

EMG发射光源L1C770/01-24VDC/3.0A  

EMG制动器ED121/6 2LL5   551-1

EMG光电探头EVK2-CP/800.71L/R

EMG放大器EVB03/235351

EMG对中控制SMI 2.11.1/2358100134300

EMG电路板SMI 2.11.3/235990

EMG泵DMC 249-A-40 

EMG泵DMC 249-A-50 

EMG泵DMC 30 A-80 

EMG泵DPMC 59-V-8 

EMG位置传感器LWH-0300

EMG电动执行器DMCR59-B1-10

EMG伺服阀SV1-10/32/315/6

EMG伺服阀SV1-10/32/315/8

EMG伺服阀SV1-10/48/315/8EMG推动杆EB1250-60IIW5T

EMG推动杆EB800-60II

EMG推动杆EB220-50/2IIW5T

EMG推动杆EB300-50IIW5T

EMG发射光源L1C770/01-24VDC/3.0A  

EMG制动器ED121/6 2LL5   551-1

EMG光电探头EVK2-CP/800.71L/R

EMG放大器EVB03/235351

EMG对中控制SMI 2.11.1/2358100134300

EMG电路板SMI 2.11.3/235990

EMG泵DMC 249-A-40 

EMG泵DMC 249-A-50 

EMG泵DMC 30 A-80 

EMG泵DPMC 59-V-8 

EMG位置传感器LWH-0300

EMG电动执行器DMCR59-B1-10

EMG伺服阀SV1-10/32/315/6

EMG伺服阀SV1-10/32/315/8

EMG伺服阀SV1-10/48/315/8

EMG伺服阀SV2-10/64/210/6

EMG 摄像头 LS13.01   

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。

霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低。霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用，需要用机械的方法来改变磁场强度。下图所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关，当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时